Samsung начала массовый выпуск передовых чипов DDR4 DRAM на 8 ГБ
Samsung Electronics начала массовое производство передовых микрочипов памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM ёмкостью 8 гигабайт.
Впервые в отрасли задействована технология 10-нанометрового класса (1y-nm) второго поколения. По сравнению с методикой первого поколения удалось добиться улучшения ключевых показателей.
Так, новые чипы демонстрируют увеличение быстродействия приблизительно на 10% по сравнению с изделиями аналогичной ёмкости, выполненными по технологии 10-нанометрового класса первого поколения. Скорость передачи информации повышена с 3200 до 3600 Мбит/с в расчёте на один вывод. В то же время энергетическая эффективность возросла на 15 %.
Улучшения ключевых характеристик удалось добиться за счёт внедрения новых технологий, в частности, специальной схемотехники.
Компания планирует ускорить вывод на рынок чипов памяти следующего поколения, а именно DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6, которые будут применяться в серверном оборудовании, высокопроизводительных системах, суперкомпьютерах, мобильных устройствах и графических ускорителях.
